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एविएशन पार्ट्स IRFR9214PBF MOSFET P-चान ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज 250 V
| मॉडल संख्या | IRFR9214PBF |
|---|---|
| न्यूनतम आदेश मात्रा | 1 टुकड़ा |
| मूल्य | विनिमय योग्य |
| पैकेजिंग विवरण | बक्से |
| भुगतान शर्तें | एल/सी, टी/टी |
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व्हाट्सएप:0086 18588475571
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xउत्पाद विवरण
| निर्माता | विषय | उत्पाद श्रेणी | MOSFET |
|---|---|---|---|
| तकनीकी | सी | माउंटिंग स्टाइल | एसएमडी / श्रीमती |
| पैकेज / मामला | TO-252-3 | ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता | पी-चैनल |
| आईडी - सतत नाली वर्तमान | 2.7 ए | आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस | 3 ओम |
| प्रमुखता देना | IRFR9214PBF विमानन भाग,250 वी विमानन भाग,250 V IRFR9214PBF MOSFET |
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उत्पाद विवरण
एविएशन पार्ट्स IRFR9214PBF MOSFET P-चान ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज 250 V
विमानन भागों का विवरण:
Vishay की तीसरी पीढ़ी की शक्ति MOSFETs प्रति सिलिकॉन क्षेत्र में कम प्रतिरोध प्राप्त करने के लिए उन्नत प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करती हैं।यह लाभ, तेज स्विचिंग स्पीड और मज़बूत डिवाइस डिज़ाइन के साथ संयुक्त है, जिसके लिए पॉवर MOSFETs अच्छी तरह से जाने जाते हैं, डिज़ाइनर को विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल और विश्वसनीय डिवाइस प्रदान करता है।DPAK को वेपर फेज, इंफ्रारेड या वेव सोल्डरिंग तकनीकों का उपयोग करके सरफेस माउंटिंग के लिए डिजाइन किया गया है।स्ट्रेट लीड वर्जन (IRFU, SiHFU सीरीज) थ्रू-होल माउंटिंग एप्लिकेशन के लिए है।विशिष्ट सतह-माउंट अनुप्रयोगों में 1.5 W तक बिजली अपव्यय स्तर संभव है।
एविएशन पार्ट्स की विशेषताएं:
- उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
- पूरी तरह से हिमस्खलन रेटेड
- सरफेस-माउंट (IRFR9214, SiHFR9214)
- सीधी सीसा (IRFU9214, SiHFU9214)
- पी-चैनल
- तेज स्विचिंग
विमानन भागों के निर्दिष्टीकरण:
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए |
| निर्माता: | विषय |
| उत्पाद श्रेणी: | MOSFET |
| आरओएचएस: | विवरण |
| तकनीकी: | सी |
| बढ़ते शैली: | एसएमडी / श्रीमती |
| पैकेज / मामला: | TO-252-3 |
| ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता: | पी-चैनल |
| चैनलों की संख्या: | 1 चैनल |
| Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: | 250 वी |
| आईडी - सतत नाली वर्तमान: | 2.7 ए |
| आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस: | 3 ओम |
| वीजीएस - गेट-स्रोत वोल्टेज: | - 20 वी, + 20 वी |
| वीजीएस वें - गेट-स्रोत थ्रेशोल्ड वोल्टेज: | 4 वी |
| क्यूजी - गेट चार्ज: | 14 एनसी |
| न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान: | - 55 सी |
| अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: | + 150 सी |
| पीडी - पावर अपव्यय: | 50 डब्ल्यू |
| चैनल मोड: | वृद्धि |
| शृंखला: | आईआरएफआर/यू |
| पैकेजिंग: | नली |
| ब्रैंड: | Vishay सेमीकंडक्टर |
| विन्यास: | अकेला |
| ऊंचाई: | 2.38 मिमी |
| लंबाई: | 6.73 मिमी |
| उत्पाद का प्रकार: | MOSFET |
| फैक्टरी पैक मात्रा: | 3000 |
| उपश्रेणी: | MOSFETs |
| चौड़ाई: | 6.22 मिमी |
| इकाई का वज़न: | 0.011640 ऑउंस |
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